通電加熱による β-Ga2O3 の結晶成長

抄録

酸化ガリウムは4.9 eVの広いバンドギャップを有し、光エレクトロニクスにとって非常に魅力的な材料である。本質的な発光を得るためには結晶性のよいβ-Ga_2O_3を成長させる必要がある。これまでに我々のグループは酸化亜鉛セラミックスに電流を流し加熱することで高い結晶性を有する酸化亜鉛結晶を得る方法を考案し、これを通電加熱法と名付けた。本研究では、通電加熱法を用いて高い結晶性を有するβ-Ga_2O_3の結晶を得ることを目的として実験を行った。結果として、減圧状態(8.67×10^<-3>Pa)において鋭い先端や稜を有する結晶が成長した。一方、大気圧において結晶はほとんど成長しなかった。