分子流領域での PVD 法で作製したアンチモン化ホウ素薄膜の熱電特性

抄録

分子流領域でのPVD法として気化したデカボランとアンチモン蒸気との反応により基板 Si (1900Å) /SiOx (3700Å) /Si (100) (625μm)上に300～350℃で作製したBl2Sb2 薄膜の電気特性及び熱電特性を測定した。オーム接触金属としてAlを蒸着し350℃で熱処理を行なった。ホール効果の測定の結果p型で移動度は～100cm2/v・s とホウ素系半導体の低移動度を克服することができた。導電率、熱電能の温度依存性及び基板の熱拡散率の測定から算出した熱伝導率から熱電性能指数は～10-4/K と熱電材料として有望な値を示した。