抄録
LnCuOS (Ln=La,Ce,Pr and Nd)はいずれもLnO層とCuS層からなる層状構造をとる。Ceを除< LnCuOS (Ln=La, Pr and Nd)は透明p型伝導性や励起子吸収・発光特性を示すワイドギャップ半導体である。一方、CeCuOS は単位格子体積が収縮して、黒色で縮退半導体的な電気伝導性を示し、励起子による吸収・発光を示さない。以前の報告においてLnCuOSの電子構造を正・逆光電子分光法で観察し、CeCuOSのみにEf付近に非占有バンドを見出し、そのバンドがCeCuOS特有の電気・光学的特性を示すものと解釈した。本研究では、LnCuOS (Ln=La,Ce,Pr and Nd)の結晶構造を精密化し、その電子構造の変化を結晶構造、特に原子間距離と化学結合様式の視点から考察した。
