6H-SiC 上 AlN 膜のモフォロジー改善

抄録

熱伝導率が高いことから、AlNを成長させたSiC基板は窒化物系パワーデバイス用の基板として有用である。しかし、市販のSiC基板は多くの研磨傷を含むため、AlN膜中には多くの欠陥が発生してしまう。 そこで、真空加熱法によりグラファイト層をSiC上に作製し、これを除去することにより平坦なSiC表面を得、この平坦SiC表面にAlNを製膜した。すると、AlN膜の欠陥(ピットの発生)が減少し、6H─SiCのユニットセル高さに相当するステップをもつAlN表面が得られた。