近接昇華型 CVD 法による ZnO の低温合成

抄録

ビス(2,4-ペンタンジオナート)亜鉛[Zn(C_5H_7O_2)_2]を原料として近接昇華型化学気相析出法によりSi単結晶,溶融石英基板上に酸化亜鉛を合成した。基板と初期の原料表面間の距離; D=2.5mmでは基板温度100℃, 150℃においてｃ軸に配向したZnOが合成された。 D=5.0mmの条件では150℃から600℃の基板温度の範囲でc軸に配向したZnOが得られた。