カーボンナノチューブを用いたSiC及びSiC-SiO2ナノチューブの創製とその微細構造観察

抄録

カーボンナノチューブをテンプレート材料として、様々なセラミックスナノ構造体の作製が報告されている。一方、SiCは半導体材料として重要な材料であるが、そのナノチューブ作製に関しては、ほとんど報告されていない。そこで、本研究では、カーボンナノチューブをテンプレート材料として、SiCナノチューブ及びSiCを絶縁材料であるSiO₂で被覆されたSiC-SiO₂ナノチューブを作製することを目的とした。その結果、高真空下において、Si粉末とカーボンナノチューブを熱処理することにより、SiCナノチューブの作製に成功した。さらに、このナノチューブを低真空下で熱処理を行うことにより、SiC-SiO₂ナノチューブが作製された。発表当日は、TEMによる微細組織観察結果も合わせて報告する。