主催: 公益社団法人日本セラミックス協会
高い酸化物イオン伝導特性を示すLa0.9Sr0.1Ga0.8Mg0.2O2.85と同元素から成り、且つ類似構造を持つLaSrGa1-xMgxO4-dは高い酸化物イオン伝導特性の発現が期待される。LaSrInO4のMg置換試料は、Inのイオン半径がGaより大きいことから、格子体積の増加による酸化物イオン伝導度の向上が見込まれる。本稿では、LaSrGa1-xMgxO4-d(0 ≤ x ≤ 0.15)およびLaSrIn0.8-yGa0.2MgyO4-d(0 ≤ y ≤ 0.15)の合成と酸化物イオン伝導特性について検討したので報告する。