完全分極軸配向した薄膜を用いた正方晶PZTの自発分極値の直接測定

抄録

種々のZr/(Zr+Ti)比を有する完全ｃ軸配向PZT薄膜をMOCVD法により、SrRuO₃//SrTiO₃基板上に作成した。得られた薄膜はどれも良く飽和したP-E特性を示し、これから自発分極値（Ps）を見積もった。その結果、結晶の正方晶歪み（c/a-1）とPsの間には良い相関が見られ、今回見積もったPsの値は妥当であることが明らかになった。