ブリッジマン法によるBaBi4Ti4O15単結晶の育成とその圧電特性

抄録

ビスマス層状構造強誘電体は非鉛圧電体の候補として、近年注目を浴びている。しかし、セラッミクスでは、高い異方性のために圧電性の重要な指標である十分な電気機械結合係数が得られていない。そこで、方位のそろった単結晶を用いて、本来の性能を引き出す事を目的にした。ビスマス層状構造強誘電体は、特異な結晶構造のためｃ軸方向に成長しにくい性質を持っている。そこで大型の結晶を得るために育成には垂直ブリッジマン法を採用した。その後、結晶の方位をラウエ法により決定し切り出しを行った。電気機械結合係数は、試料に高温高電圧で分極処理を施した後、共振反共振法で測定し算出された。