抄録
酸化亜鉛(ZnO)単結晶上に窒化ガリウム(GaN)薄膜を作製し、そのエピタキシャル関係、結晶性、発光特性について検討した。GaN薄膜はMBE法によって作製し、基板は市販の水熱合成ZnO単結晶とした。結晶異方性を検討するため、ZnO基板の0001、000-1、11-20、10-10面について検討し、あわせて（In,Ga）Nから成るバッファ層の効果についても検討した。薄膜の構造はX線回折、AFM観察、CAICISSによって評価し、また、界面組成はSIMS、発光特性はPL・CL測定でそれぞれ調べた。その結果、0001、000-1、11-20面において、単一の結晶方位をもったGaN薄膜が得られた。また、(In,Ga)N薄膜をバッファ層として導入することで、GaN薄膜の配向性、結晶性、発光特性は向上することがわかった。
