抄録
スクッテルダイト化合物は、新たな熱電変換材料として有望であるが、格子熱伝導率が大きいことが問題点である。そのため、スクッテルダイト化合物の空隙に原子を充填することにより熱伝導率の低減が可能なフィルドスクッテルダイト化合物の研究が近年行われている。超高圧合成法を用いてスクッテルダイト化合物であるCoSb3に電気陰性度の大きいヨウ素を充填したIxCo4Sb12 ( x = 0.5, 0.2 )を合成した。IxCo4Sb12について熱電特性を検討したところ、低温ではn型、高温ではp型となることがわかった。