抄録
SiH4-C2H4-H2-Ar系を用いたRF熱プラズマCVD法によるSiCナノ粒子を開発し、このナノ粒子を利用することで、従来から良く知られているB、Al、Beなどの金属を含む焼結助剤を添加しなくても、理論密度近傍まで緻密化された高純度SiC焼結体の製造技術を確立することができた。また、Al2O3などの絶縁性材料にSiCナノ粒子を分散し、電気的、機械的特性が制御された大型複合材料の製品化に成功した。ここではSiCナノ粒子と、これを用いた高純度緻密質SiC焼結体を始めとする機能性セラミックス材料の特徴、及び半導体分野を中心とした応用例について報告する。
