日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集
2005年年会講演予稿集
セッションID: 3A10
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HIP法を用いたBa(ZrxTi1-x)O3組成傾斜材料の作製およびその誘電特性の改善
*赤沼 泰樹藤本 憲次郎伊藤 滋
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キーワード: HIP法, 誘電特性
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抄録
強誘電体Ba(Zrx,Ti1-x)O3の組成xが異なる成形体を積層し、HIP法を用いて加圧下で焼結することにより組成傾斜材料を作製した。25℃以下(室温以下)の温度範囲においても一定の高い誘電特性を得るために、x=0.1,0.15,0.2,0.25,0.3をそれぞれ0.3gとし積層させHIP処理した。その組成傾斜強誘電体は-50_から_100℃の温度範囲でもほぼ一定の誘電率を得ることができた。しかし。誘電率の値は1450と低い値となった。そこで本研究は、添加剤(BaB2O4、、KFなど)を加えることによって誘電率の向上を目指した。   
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©  日本セラミックス協会 2005
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