酸化物強誘電体の欠陥構造とリーク電流低減のための材料設計

野口 祐二; 木崎 陽一; 玉田 稔; 山本 勝也; 宮山 勝

doi:10.14853/pcersj.2006F.0.11.0

第19回秋季シンポジウム

セッションID: 1A20

DOI https://doi.org/10.14853/pcersj.2006F.0.11.0

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主催: 公益社団法人日本セラミックス協会

酸化物強誘電体の欠陥構造とリーク電流低減のための材料設計

*野口祐二, 木崎陽一, 玉田稔, 山本勝也, 宮山勝

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キーワード: 第一原理計算, 欠陥構造, リーク電流

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抄録

第一原理計算により解析したPbTiO3，K0.5Na0.5NbO3およびBi層状強誘電体の欠陥構造を示し，リーク電流を低減するための材料設計指針を提案する．K0.5Na0.5NbO3において，Nb4+がd電子による電気伝導の種となり，リーク電流特性を悪化させることを示す．Mnドープがこれら単結晶のリーク電流低減に有効であること，およびそのメカニズムを考察する．

責任著者(Corresponding author)

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