日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集
第19回秋季シンポジウム
セッションID: 1A05
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Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-Pb(Ni1/3Nb2/3)O3-Pb(Zr,Ti)O3薄膜の特性の温度変化
*眞岩 宏司Seung-Hyun Kim
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抄録
化学溶液法により作製したPMN-PNN-PZT薄膜の電気特性と電機機械特性の温度変化を測定した。薄膜は650℃の熱処理により作製された。分極ヒステリシス特性はスリムであり、高電場で飽和する傾向を持つ。誘電率は室温で2000前後であり、強いバイアス電場依存性を有する。比誘電率の温度依存性の測定から相転移を140℃付近に有すると判断できる。電界誘起変位のループは線形性に優れていて、d33換算で70pm/Vの値である。
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©  日本セラミックス協会 2006
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