ダイナミックオーロラ PLD 法による PZT 薄膜の低温合成と電気特性

抄録

真空チャンバー内に電磁石を組み込んだダイナミックオーロラPLD装置を用いてPZT薄膜を作製した。PZT薄膜はSrTiO3シード層上に作製したが、シード層、PZTともに400℃以下という低温で結晶化した。磁場印加中で成膜したPZT薄膜は低いリーク特性を示し、約30μC/cm2という比較的高い残留分極を示した。磁場を印加しない場合、PZTはこの温度では結晶化しなかった。成膜中に磁場を印加した際のプラズマの状態は分光器によって分析した。