抄録
厚膜焼結では、面内方向の焼結収縮が基板により抑制される。この拘束応力を利用することにより、Bi4Ti3O12厚膜の配向を行った。まず、原料粉末に形状による粒子配向を抑制するため、球状粉末を共沈法により作製し、無配向の厚膜を印刷した。そして、加熱による膜厚減少にともない、c軸配向度が線形的に上がることを確認した。この配向度の上昇を、March-Dollase関数で評価をおこなった結果、rパラメータ（変形率を表すパラメータ）と密度上昇（膜厚減少）に線形の相関があることを確認した。これは、厚膜のc軸配向が拘束焼結により誘導されていることを示すものである。
