酸化亜鉛基薄膜の電気特性に対する不純物の影響

抄録

酸化亜鉛基薄膜はマグネシウムを置換することでバンドギャップの制御が可能である．さらに，不純物を添加することでキャリア濃度の制御も可能である．これにより，酸化亜鉛基変調構造の作製が期待される．本実験では，マグネシウム，不純物の濃度を変化させ，変調構造の応用を検討した．