SiC表面分解法によるカーボンナノチューブの直径制御

抄録

カーボンナノチューブ（CNT)の合成法にはアーク放電法、レーザー蒸発法、化学気相成長法の３手法がよく知られているが、我々はSiC表面分解により高密度・高配向CNTの合成法を新たに開発し、その生成メカニズムについて透過型電子顕微鏡を用い解析を行ってきた。今回の報告においては、分解雰囲気を制御することにより、CNTの直径が２ｎｍから１０ｎｍと大きく変化することをTEM平面観察法から明らかにする。また、このCNTの今後の応用展開についても報告する。