日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集
2006年年会講演予稿集
セッションID: 2P003
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直接窒化法で合成したAlN粉末の低温焼結
*染谷 千昭鈴木 秀輔高橋 大輔大栗 雅人堀田 憲康
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抄録
窒化アルミニウム(AlN)は室温から400℃の範囲においての熱膨張係数は4.6×10-6-1であり,シリコンに近い値を示す.またAlNの熱伝導率の理論値は320W/mKと高い値を示す.本研究では,AlN粉末を出発原料とし,Y2O3-CaO-Al2O3系とY2O3のみ焼結助剤として混合し,それをペレット上に成型して窒素雰囲気中,1500_から_1700℃で城圧焼結を行った.結果として三成分系助剤を添加したものは,1600℃で理論密度が96%以上となった.
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©  日本セラミックス協会 2006
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