酸化物PLDと水素還元による[強磁性金属／酸化物半導体］ハイブリッドナノ材料の作製と評価

抄録

KrFパルスエキシマレーザー（波長248nm、パルス幅20ns）を、NiOなどの酸化物焼結体ターゲットに照射し、対向位置に設置された原子ステップを有するサファイア基板上へ成膜を行った。成膜条件は基板温度を室温、酸素分圧を1.0×10^-5Torr、レーザーパワーを3J/cm²とした。成膜後のエピタキシャル薄膜を水素1atm雰囲気中で熱処理することによりNiOを完全に還元し、多軸X線回折測定により金属Niのエピタキシャル薄膜の形成を確認した。講演では還元された本現象を利領した［強磁性金属／酸化物半導体］ハイブリッド薄膜の作製についても報告する。