RFマグネトロンスパッタリング法により合成したSi-O-C膜の構造と光学特性

抄録

RFマグネトロンスパッタリング法によりSi-O-C薄膜を作製し、その構造および光学特性の評価を行った。XPS測定およびFTIR測定により組成分析を行ったところ、Si-C薄膜では[C]/[Si]=1.0であり、Si-O薄膜では[O]/[Si]は電力の増加に伴い1.1から1.6へと変化した。Si-2pのXPSスペクトルより、Siまわりの短距離構造はそれぞれSi-O₄（103.4 eV）、Si-O₃C（102.6 eV）、Si-O₂C₂ （101.8 eV）、Si-OC₃（100.8 eV）、 Si-C4（100.2eV）、Si-Si₄（99.4 eV）の結合状態により表された。