抄録
ゾルゲル法を用いて酸化ニオブ薄膜を作製した．酸化ニオブ薄膜は次世代高密度メモリーの容量絶縁膜として注目されている．ゾルゲル法で酸化物薄膜を作製する際は，出発原料に金属アルコキシドが用いられることが多い．金属アルコキシドは価格的に高価なばかりでなく，大気中で不安定であるため，その取り扱いを含めて，薄膜作製コストの増加につながっている．本研究では，出発原料に金属塩化物など，安価で取り扱いの容易な材料のみを使用し，低コストで高品質な酸化ニオブ薄膜の作製を試みた．出発原料として，塩化二オブのエタノール溶液を利用することで，全工程を大気中で実施しすることが可能となった．XRD測定の結果，ガラス基板上に結晶性の塩化二オブ薄膜が得られた．
