TiO₂/TiNナノクリスタル薄膜の高速抵抗スィチング特性

抄録

常温でのパルス電圧印加によって抵抗値が３ケタ近くも変化する現象（パルス電圧誘起抵抗変化）は、超巨大磁気抵抗効果を示すマンガナイト系ペロブスカイト（Pr_1-xCa_x）MnO₃で発見された。最近、同様のパルス電圧による抵抗値変化が、NiO、TiO₂でも発見され、不揮発性Xメモリーとしての応用が期待されている。TiN-TiO₂ナノクリスタル薄膜で超高速スイッチング（高速抵抗変化）を確認したのでこれを報告する。