(Pr_1-xCa_x)MnO₃抵抗可変素子の電気特性評価

抄録

(Pr_1-xCa_x)MnO₃(PCMO)は、極低温で超巨大磁気抵抗効果を示すマンガナイト系ペロブスカイト材料として知られている。しかし常温でパルス電圧の印可によって3桁近くも抵抗値が変化する現象EPIR(Electric Pulse Induced Resistive Change)効果が発見されてから1T1Rの極めてシンプルなメモリーセル構造を有する次世代の不揮発性メモリとして応用が期待されている。超高速パルス発生装置を用いてPCMO薄膜の電気特性の評価を試みたので報告する。