日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集
2006年年会講演予稿集
セッションID: 3C03L
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1973Kでの大気中におけるAl4SiC4-SiC系緻密焼結体の酸化挙動
*井上 幸司山口 明良
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抄録
Al,SiやC粉末から合成したAl4SiC4-SiC系焼結体について,大気中,酸化挙動(1700℃)について調べた.SiC単味焼結体の保護層は,クリストバライトとガラスであるシリカから構成されるため,形成された気孔の成長により不安定で剥離された.Al4SiC4単味焼結体の保護層は,ムライトとコランダムから構成された.しかし,ムライトとコランダムの粒界を通じて酸素が内部に拡散し,十分に酸化が抑制されなかった.これに対してAl4SiC4-SiC系焼結体の保護層は,ムライトあるいはムライトとシリカから構成され,酸素の拡散を抑制し、剥離せずに安定であった.
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©  日本セラミックス協会 2006
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