抄録
酸化亜鉛セラミックスの熱電特性は、電子移動度の変動に大きく影響をうける。これは、粒界に形成されるDSB(Double Schottky Barrier)によるものである。磁場配向により作製されたc軸配向セラミックスは100MRD(Multiple of random orientation)という非常に高い配向度を示す。これにより、ab面に沿った粒界構造は周期構造を頻繁に取るようになることが、エッジオンHRTEM像より明らかとなった。ホール測定結果より、磁場配向により電子移動度が80%増加することがわかり、その効果は粒界トラップ密度を5.9x10^(12)cm^(-2)減少させることに匹敵することが明らかとなった。
