RFマグネトロンスパッタリング法を用いた強誘電体チタン酸ジルコン酸鉛ナノ結晶の作製と評価

抄録

強誘電体材料Pb(Zr,Ti)O3は印加電圧に対して電荷分極値がヒステリシス特性を示し、高速駆動・不揮発性・低消費電圧の優れた機能を持つことから、メモリーへの実用化に向け幅広く研究されている。これまでに高配向薄膜の作製や微細加工（ナノ構造体の作製）などの研究が精力的に行われているが、グレインによる結晶欠陥と特性劣化、加工による表面ダメージが目立つ。そこで本研究ではボトムアップ的手法、すなわち『核形成』と『ナノ結晶成長』に着目した。ＲＦマグネトロンスパッタリング法を用いて高エネルギーのスパッタ粒子を利用し、核形成の位置制御と成長制御を最適化させ、メモリーの高集積化と信頼性向上を目指す。