抄録
シリコン(Si)基板上に成長させたZnO:Alウイスカーでは電界集中係数に限界がある。本研究ではウイスカー冷陰極の電界集中係数を増大させることを目的とし、炭素繊維にZnO:Alウイスカーを成長させて電界放射特性および電界集中係数を評価した。大気開放型化学気相析出(CVD)法によって炭素繊維上にZnO:Alウイスカー群を合成した。真空度＜1×10-4 Pa中にウイスカー冷陰極と陽極とを電極間距離1 mmで配置し、電界放射特性を測定し、電界集中係数を評価した。炭素繊維上に成長させたZnO:Alウイスカーの電界集中係数は、Si基板上に成長させた場合の1000に比べ7000に増大することを確認した。
