InをドープしたSrZrO₃の導電挙動の評価

抄録

高温型プロトン導電体であるCaZrO₃系はCaZr_0.9In_0.1O_3-δ組成の試料において焼結性に優れ、導電率が高いことが報告されている。一方、Inを添加したSrZrO₃系プロトン導電体に関しては、未だ報告が少ない。そこで我々は、Inをドープすることにより高性能なSrZrO₃の開発を目指している。これまでに20mol%～60mol%のIn添加した試料において、1500～1650℃での焼結温度の条件により粒成長が促進され、導電率が向上することを報告した。本報告では、InをドープしたSrZrO₃において、測定温度条件を変えた場合の導電挙動について詳細な評価を行ったので報告する。