抄録
近年、電圧パルス印加により最大２桁以上の抵抗変化を実現し、抵抗状態を記憶できる電界誘起巨大抵抗変化現象が注目を浴びている。本現象のメカニズムに関しては不明な点が多いが、大きな抵抗変化率、高速応答、不揮発性という有用な特性から次世代不揮発性メモリーとしての応用が期待され、基礎、応用化研究が数多くなされている。我々は粒界障壁形成により高い電圧非直線性を示す多結晶体SrTiO3、ZnOバリスタの電界印加時の劣化現象が本現象に類似していることに着目し、検討の結果、多結晶体La-doped SrTiO3にて最大３桁にも達する巨大抵抗変化が実現できることを見出し報告してきたがそのメカニズムは明確にはなっていない。そこで抵抗変化、メモリー特性の起源を明確にすべく、On/Offスイッチング特性及び抵抗保持特性、TEM-EELSの評価を行った。
