ZnOとYMnO3による強誘電体ゲートFETの電気特性

抄録

強誘電体ゲートトランジスタは次世代の不揮発性メモリとして期待されている。しかしながら、強誘電体と半導体の界面にいくつかの問題が存在しており、酸化物チャネルの使用はその問題点の改善になると考えられる。そこで、本研究ではZnOをチャネルに用いた強誘電体ゲートTFTを作成した。このTFTでは比較的大きなON電流を得ることができた。誘電体特性の詳細な研究によって、ON電流は強誘電体の分極と同時に空間電荷の効果によって誘起されていたことがわかった。