日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集
2008年年会講演予稿集
セッションID: 1L31
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ラマン散乱分光法を用いたアモルファス水素化炭素膜の構造解析
*小野 友紀蒲沢 直紀鈴木 常生大塩 茂夫赤坂 大樹齋藤 秀俊
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キーワード: 炭素膜, CVD, XRR, 密度, Raman
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抄録
ラマン散乱スペクトルとアモルファス水素化炭素(a-C:H)膜の関係として、a-C:H膜の水素組成が増えると、膜のクラスターを水素原子が終端するなどし、膜の真密度が減少し、膜を構成する炭素クラスターの規則性が乱れ、クラスターサイズが小さくなると考えられる。本研究は膜の真密度と水素組成を構造パラメータとし、膜のラマン散乱スペクトルで観測されるGバンド及びDバンドが膜の構造を反映するのかを確認した。紫外ラマンでは真密度の増加に従ってID/IGは減少した。水素組成が増加すると紫外ラマンではID/IGが水素組成20 at. %で最大となった。この結果より、水素組成の増大と共に炭素クラスターの規則性が乱れ、水素組成20 at. %以上でクラスターサイズが小さくなると考察される。
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©  日本セラミックス協会 2008
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