中性子検出用GaドープＺｎＯシンチレータの開発

抄録

ＧａをドープしたＺｎＯ（ＺｎＯ：Ｇａ）におけるエキシトン発光を利用した中性子位置検出器用の新規シンチレータを開発した。講演では，ＺｎＯ：Ｇａシンチレータの作製，エキシトン発光特性および中性子用シンチレータとしての特長について報告を行う。