SrB₆バッファ層挿入によるサファイア基板上LaB₆系薄膜のエピタキシャル成長

抄録

希土類ホウ化物LaB₆は高融点、低蒸気圧、金属的な高い導電性を有し、更に仕事関数が小さいなどの優れた特性を有する材料である。そのため、現在LaB₆は高輝度・長寿命な熱電子放射材として利用されている。このような優れた特性があるにも関わらず、薄膜に関する研究はほとんど行われていないのが現状である。これまでに我々は超平坦サファイア基板上におけるLaB₆(100)配向膜の結晶成長機構と電気物性評価について報告してきた。本研究では、これまでに報告されていないサファイア基板上へのSrB₆エピタキシャル薄膜合成およびSrB₆バッファ層を用いたLaB₆エピタキシャル薄膜合成を行ない、バルク状態・多結晶薄膜とは違った物性発現の可能性や組成変調による特性変化について検討した。