Cr₂O₃/LiNbO₃/Cr₂O₃ 絶縁膜をゲートとするSi-MISキャパシタにおける

抄録

我々は、磁気情報の半導体デバイスへの融合を目指した新規電界効果素子の開発を目指して研究を行っている。その一つとして室温電気磁気効果を示すCr₂O₃をゲート絶縁膜とし極薄フローティング層(F.G.)及び磁性層の挿入により、半導体より注入される電子の電荷をスピン情報として記憶することを提案している。これまで、この素子がF.G.層において電荷を保持することを確認し、また、電荷注入量が磁性層のスピン整列状態及によって影響を受けることを報告してきた。また、Cr₂O₃層への強誘電体LiNbO₃層の挿入によりより多段階な注入過程が実現できる事を報告した。今回は、その多段階電荷注入過程を詳細に評価し外部場の影響及びF.G.層の役割・電気磁気効果との相関を調査した。