抄録
最近、我々はPLD法により高い電気伝導性を示すCu-Nb-O系ワイドギャップp形伝導性薄膜を作製することに成功した[1]。本研究では、高周波スパッタ法を用いてCu-Nb-O系薄膜を作製した。薄膜の光学および電気特性は、Cu-Nb-O系セラミックタ－ゲットの組成、スパッタ出力、基板温度、スパッタ雰囲気、によって変化した。その結果、ターゲット組成比：Cu/Nb=1.5、r.f. power：180W、基板温度：室温、スパッタガス：Ar:O2=25:75、チャンバー内圧力：5.0Paの条件でホウケイ酸ガラス基板上に作製した薄膜はバンドギャップエネルギーが2.65eVで、可視光領域における平均透過率50％で、電気伝導率0.54S/cmと高いp形伝導性を示すことがわかった。[1]S. Yamazoe et. al. Phys. Status Solidi RRL 5 , 153 (2011).
