Bi系ZnOバリスタのZnO粒径によるバリスタ電圧の制御

抄録

現在，電子デバイスを用いた制御回路等の動作電圧は数ボルト程度と低く，低電圧用バリスタが必要とされる。本研究では一定の電極間隔を保持しながらZnO粒径を大きくする事で低電圧用バリスタを作製した。Bi系（Bi-Mn-Co添加）のZnOバリスタにZnO粒成長促進効果のあるBaとZnO粒径を揃える効果のあるSbを添加した。極微量のSbの添加は，ZnO粒子の粒径を小さくすることなく，その粒径分布の幅を小さくする効果があることが分かった。また，Sbを添加することでBaとMnの化合物が形成されなくなり，Mnが比較的均一に粒界に分布することで，耐課電劣化特性が改善された。