抄録
陽電子寿命測定法では、オルソ-ポジトロニウムの寿命が物質中の空隙の大きさに依存することを利用して空隙の径を調べることができる。そこで、陽電子寿命測定法を用いて、仮想温度を変えたシリカガラス中の空隙の大きさを調べた。シリカガラスでは、仮想温度が低い場合、環構造の重合度が増加し、密度が減少（すなわち空隙率が増加）することが知られている。陽電子寿命測定法で観測された空隙サイズの減少と、全体の空隙率の増加を矛盾なく説明するには、陽電子寿命測定法の測定限界以下（大よそ半径0.1 nm以下と言われている）のサイズの空隙を考慮する必要がある。当日は、シリカガラスの空隙の描像について、分子動力学に基づいて計算した結果を交えて議論する。
