ゾル-ゲル法により作製されるSiO₂薄膜の残留応力に関する基礎的研究

抄録

モル比Si(OC2H5) 4 : HNO3 : H2O : C2H5OH = 1 : 0.01 : 8 : 4なる溶液をコーティング液としてSi(100)ウェハ上にSiO2ゲル膜を作製し、100℃間隔で10 minずつ1000℃まで順次熱処理し、熱処理を行うたびに薄膜の面内残留応力を測定した。熱処理温度を600℃まで上昇させると、面内残留応力（引張応力）は増大したが、熱処理温度が600℃を越えると応力は減少し、800℃を越えると圧縮応力となり、熱処理温度の上昇とともに増大した。