Journal of Photopolymer Science and Technology
Online ISSN : 1349-6336
Print ISSN : 0914-9244
ISSN-L : 0914-9244
Effect of Microwave Annealing on Oxide-Semiconductor-Precursor Ink
Hea Jeong Cheong, Nobuko Fukuda, Shintaro Ogura, Heisuke Sakai, Manabu Yoshida, Takehito Kodzasa, Hideo Tokuhisa, Kazuhiko Tokoro, Kazuhiko Takeuchi, Ritsuko Nagahata, Takashi Nakamura, Sei Uemura
著者情報
キーワード: Microwave annealing, Indium gallium zinc oxide (IGZO) precursor, Ink, XRD
ジャーナル フリー

2014 年 27 巻 3 号 p. 339-342

詳細
PDFをダウンロード (433K)
メタデータをダウンロード RIS形式

(EndNote、Reference Manager、ProCite、RefWorksとの互換性あり)

BIB TEX形式

(BibDesk、LaTeXとの互換性あり)

テキスト
メタデータのダウンロード方法
発行機関連絡先
抄録

We have demonstrated a high-efficiency microwave annealing technology that can enhance the electrical characteristics of TFTs prepared using high-viscosity IGZO precursors. The process is advantageous for short-time annealing high-viscosity precursor-film.

著者関連情報
© 2014 The Society of Photopolymer Science and Technology (SPST)
前の記事 次の記事
お気に入り & アラート

閲覧履歴
このページを共有する
feedback
 Top