精密工学会学術講演会講演論文集
2002年度精密工学会秋季大会
セッションID: H08
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ナノファブリケーション・ナノストラクチャ(2)
光散乱法を用いたSiウエハ表面のウエット洗浄によるナノパーティクル評価
*佐々木 都至安 弘竹崎 尚之森 勇藏片岡 俊彦遠藤 勝義山内 和人井上 晴行
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抄録

光散乱法を用いて超精密加工表面構造をナノメータオーダで解析できる複合表面評価システムの開発を行っている。これまでSiウエハ上の粒径において24nm、スクラッチの溝幅においては6nm、さらにサブナノメータオーダのマイクロラフネスを同時に測定できるシステムを開発している。今回、直径20~30nmの付着したパターン未形成のベアSiウエハ表面に対してウエット洗浄を行い、洗浄前後のパーティクルの付着度合いの変化から、本測定機により検出している直径20〜30nmの検出パーティクルに対して、付着物かSiウエハ表面の構造であるかの実証を試みた。以上のことについて報告する。

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© 2002 公益社団法人 精密工学会
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