半導体ガス用ウルトラクリーン容器の表面粗さとクリーン度の関係

抄録

半導体用高純度ガスを充填しておくウルトラクリーン容器は、内面を鏡面研磨した後、ウルトラクリーン化（例えば、容器内の1立方フィート当り、粒径が0.1μm以上のパーティクルを10個以下にウルトラクリーン化)するため、内部を洗浄する必用がある。本研究は、容器内面の表面粗さと洗浄後のクリーン度の関係を定量的に評価し、ウルトラクリーン容器では、表面粗さを1μmRy(最大高さ)以下にする必要があることを示した。