4インチウェハ高精度常温接合装置の開発

高木 秀樹; 前田 龍太郎

doi:10.11522/pscjspe.2003A.0.478.0

2003年度精密工学会秋季大会

セッションID: I19

DOI https://doi.org/10.11522/pscjspe.2003A.0.478.0

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主催: 社団法人精密工学会

MEMS商業化技術（2）

4インチウェハ高精度常温接合装置の開発

*高木秀樹, 前田龍太郎

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キーワード: ウェハ接合, 常温接合, 表面活性化, 高精度接合, MEMS実装

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抄録

MEMSの組立・パッケージングにおいて，低ダメージのウェハスケール高精度接合への要求は大きい．今回，MEMSデバイスを対象に，4インチまでのウェハを真空中で位置決めし表面活性化法により常温で接合する装置を開発した．この装置により，パターンを形成したシリコンウェハの接合を行い，接合強度及び位置決め精度を評価した．接合強度は母材強度に匹敵し，位置決め精度として10ミクロン以内が得られた．

責任著者(Corresponding author)

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