メガソニック重畳スラリーによる半導体レーザファセットの精密形成技術

抄録

GaNレーザの発光端面を形成する際,従来の製造法が適用できない.そこで,ここでは,GaNウェハから切り出すと同時に,レーザ発光端面を光が透過·反射する際に損失のない平滑かつ高精度なひずみのない鏡面として形成することを目的として,全く新しい超音波を重畳させたスラリーを用いた切断技術により研究を行った.その結果,従来に比べ,GaN端面傾斜角を改善することができた.