EUV光源開発のためのパルスレーザによる高密度プラズマ生成と発光計測

抄録

次世代半導体リソグラフィ用EUV光源開発のため、パルスレーザにより生成する高密度プラズマからの発光をターゲットの材料と形状を変えて計測した。Sn、Al、Cuの3金属に対する実験でEUVを計測した結果、Snからの発光強度が最も高かった。平板と円錐孔の2形状に対する集光照射で生成したプラズマを高速度カメラで可視光観察した結果、円錐孔の発光時間の方が長く、EUV光源の高輝度化への応用が期待できる。