イオン照射による化合物半導体表面の自己組織化を用いた加工

抄録

GaSb等の化合物半導体を、60kV程度のエネルギーをもつSnイオンで150K以下の低温において照射すると、表面に数10nm程度のセル状構造が形成される。セルの壁はアモルファスである。これは照射温度や化合物半導体の種類に敏感である。この構造の生成メカシズムは、照射化における半導体表面の自己組織化として理解できる。またこのメカニズムの表面加工への応用について述べる。