抄録
集積度の上昇に伴い，半導体デバイスの高性能化および小型化に対する要求はますます厳しくなっている．紫外線を利用した半導体リソグラフィープロセスにおける創成パターンは，波長の制限のため限界に達している．ナノインプリントリソグラフィーは，新しい技術の一つであり，MEMSプロセスよりも容易にナノパターンを創成できる．そのような状況下において，本研究はナノインプリント用モールドの製作に対する支援として，プローブ陽極酸化法によりナノパターンを創成することを目的としている．本報告では，陽極酸化条件の影響を評価したとともに，隆起パターンを隣接させることにより，溝パターンの創成を試みた結果を報告する.
