ULE基板上にイオンビームスパッタ付着したSi薄膜のイオンビームによる微小量加工 表面粗さの評価

毛利 悠理子; 倉島 優一; 宮本 岩男; 安藤 学; 沼田 敦史

doi:10.11522/pscjspe.2007A.0.863.0

2007年度精密工学会秋季大会

セッションID: L15

DOI https://doi.org/10.11522/pscjspe.2007A.0.863.0

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ULE基板上にイオンビームスパッタ付着したSi薄膜のイオンビームによる微小量加工

表面粗さの評価

*毛利悠理子, 倉島優一, 宮本岩男, 安藤学, 沼田敦史

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キーワード: 表面粗さ, イオンビームスパッタ, 付着, 極端紫外線光リソグラフィー

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抄録

次世代リソグラフィー技術の有力候補として，極端紫外線光を用いたEUVLが注目されている．EUVLには，機械研磨では限界となるような形状精度および表面粗さが0.2nm rms以下という高精度なSi/Moの多層膜非球面ミラーが必要である．本研究では，ULE表面にSiをコーティングした試料表面へ加速電圧1～3keVのAr+イオンを照射し，加工前後の表面粗さについて検討したので報告する．

責任著者(Corresponding author)

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