単結晶シリコンのレーザ加工における加工速度の異方性

抄録

加工エネルギーが小さいマイクロ放電加工により単結晶材料を加工した場合に，結晶方位により加工速度が異なることが報告されている．この原因として，単結晶材料の熱伝導率の異方性が考えられている．したがって，放電加工と同様に熱的作用を利用するレーザ加工においても，単結晶材料の結晶方位により加工速度が異なると考えられる．そこで本研究では，単結晶シリコンのレーザ加工における加工速度の結晶方位依存性について検討する．